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长鑫存储新一代内存芯片突破,三星、SK海力士、美光落后
Memory breakthrough by China's CXMT puts chip rivals on back foot
AI 导读
中国长鑫存储(CXMT)宣布在下一代内存芯片设计上取得突破,其9月发布的新款高容量LPDDR5X芯片令市场与半导体行业震动,三星、SK海力士与美光在该代际进展上落后。长鑫存储称其"接近全球内存生产的领先水平",但分析师与行业高管认为竞争对手仍有其他方式维持竞争优势。
来源:日经亚洲 · asia.nikkei.com